Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

Cadmium Arsenide Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

Paglalarawan

Cadmium Arsenide Cd₃As₂5N 99.999%,madilim na kulay abo, na may density na 6.211g/cm³, punto ng pagkatunaw 721°C, molekula 487.04, CAS12006-15-4, natutunaw sa nitric acid HNO₃ at katatagan sa hangin, ay isang synthesized compound material ng mataas na kadalisayan ng cadmium at arsenic.Ang Cadmium Arsenide ay isang inorganic na semimetal sa II-V na pamilya at nagpapakita ng Nernst Effect.Ang kristal na Cadmium Arsenide na pinalaki ng Bridgman growth method, non-layered bulk Dirac semimetal structure, ay isang degenerate na N-type II-V semiconductor o isang narrow-gap na semiconductor na may mataas na carrier mobility, low-effective na mass, at isang napaka non-parabolic conduction. banda.Cadmium Arsenide Cd₃As₂o CdAs ay isang mala-kristal na solid at nakakahanap ng higit at higit na aplikasyon sa isang semiconductor at sa photo optic field tulad ng sa mga infrared detector na gumagamit ng Nernst effect, sa thin-film dynamic pressure sensors, laser, light-emitting diodes LED, quantum dots, hanggang gumawa ng magnetoresistor at sa photodetector.Arsenide compounds ng Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs at Niobium Arsenide NbAs o Nb₅As₃makahanap ng higit pang aplikasyon bilang electrolyte material, semiconductor material, QLED display, IC field at iba pang materyal na field.

Paghahatid

Cadmium Arsenide Cd₃As₂at Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs at Niobium Arsenide NbAs o Nb₅As₃sa Western Minmetals (SC) Corporation na may 99.99% 4N at 99.999% 5N purity ay nasa laki ng polycrystalline micropowder -60mesh, -80mesh, nanoparticle, lump 1-20mm, granule 1-6mm, chunk, blank, bulk crystal at single crystal etc ., o bilang customized na detalye upang maabot ang perpektong solusyon.

Inquiry ngayon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal na Pagtutukoy

Mga compound ng Arsenide

Mga compound ng Arsenide pangunahing tumutukoy sa mga elemento ng metal at metalloid compound, na may stoichiometric na komposisyon na nagbabago sa loob ng isang tiyak na hanay upang bumuo ng isang compound-based na solidong solusyon.Ang inter-metallic compound ay may mahusay na mga katangian sa pagitan ng metal at ceramic, at naging isang mahalagang sangay ng mga bagong istrukturang materyales.Bukod sa Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs at Niobium Arsenide NbAs o Nb₅As₃ay maaari ding synthesize sa anyo ng pulbos, butil, bukol, bar, kristal at substrate.

Hindi.	item	Karaniwang Pagtutukoy
Hindi.	item	Kadalisayan	Impurity PPM Max bawat isa	Sukat
1	Cadmium ArsenideCd₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60mesh -80mesh powder, 1-20mm bukol, 1-6mm granule
2	Gallium Arsenide GaAs	5N 6N 7N	Available ang GaAs Composition kapag hiniling
3	Niobium Arsenide NbAs	3N5	Available ang Komposisyon ng NbAs kapag hiniling
4	Indium Arsenide InAs	5N 6N	Available ang InAs Composition kapag hiniling
5	Pag-iimpake	500g o 1000g sa polyethylene bottle o composite bag, karton na kahon sa labas

Gallium Arsenide

Gallium Arsenide GaAs, isang III–V compound direct-gap semiconductor material na may zinc blende crystal structure, ay na-synthesize ng high purity gallium at arsenic elements, at maaaring hiwain at gawing wafer at blangko mula sa single crystalline ingot na lumago sa pamamagitan ng Vertical Gradient Freeze (VGF) na pamamaraan .Salamat sa saturating hall mobility at mataas na power at temperature stability, ang mga RF component, microwave IC at LED device na ginawa nito ay nakakamit ng lahat ng mahusay na performance sa kanilang high frequency na mga eksena sa komunikasyon.Samantala, ang kahusayan ng paghahatid ng ilaw ng UV nito ay nagpapahintulot din na ito ay isang napatunayang pangunahing materyal sa industriya ng Photovoltaic.Ang Gallium Arsenide GaAs wafer sa Western Minmetals (SC) Corporation ay maaaring maihatid ng hanggang 6" o 150mm ang diameter na may 6N 7N purity, at available din ang Gallium Arsenide mechanical grade substrate. Samantala, ang Gallium Arsenide polycrystalline bar, bukol at granule atbp na may kadalisayan ng 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N na ibinigay mula sa Western Minmetals (SC) Corporation ay available din o bilang customized na detalye kapag hiniling.

Indium Arsenide

Indium Arsenide InAs, isang direktang-band-gap na semiconductor na nagki-kristal sa zinc-blende na istraktura, na pinagsama ng mataas na kadalisayan ng indium at arsenic na mga elemento, na lumago sa pamamagitan ng Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) na pamamaraan, ay maaaring hiwain at gawing wafer mula sa iisang crystalline na ingot.Dahil sa mababang dislocation density ngunit pare-pareho ang sala-sala, ang InAs ay isang mainam na substrate upang higit pang suportahan ang mga heterogenous na InAsSb, InAsPSb at InNASSb na istruktura, o AlGaSb superlattice na istraktura.Samakatuwid, ito ay gumaganap ng isang mahalagang papel sa 2-14 μm wave range infrared emitting device fabrication.Bukod pa rito, pinapayagan din ito ng supreme hall mobility ngunit makitid na energy bandgap ng InAs na maging mahusay na substrate para sa mga bahagi ng hall o iba pang pagmamanupaktura ng mga laser at radiation device.Ang Indium Arsenide InAs sa Western Minmetals (SC) Corporation na may purity na 99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N ay maaaring maihatid sa substrate na 2" 3" 4" ang diameter. Samantala, ang Indium Arsenide polycrystalline lump sa Western Minmetals (SC ) Available din ang Corporation o bilang customized na detalye kapag hiniling.

Niobium Arsenide

Niobium Arsenide Nb₅As₃ or NbAs,off-white o gray crystalline solid, CAS No.12255-08-2, formula weight 653.327 Nb₅As₃at 167.828 NbAs, ay isang binary compound ng Niobium at Arsenic na may komposisyon na NbAs,Nb5As3, NbAs4 …etc na na-synthesize sa pamamagitan ng CVD method, ang mga solidong salt na ito ay may napakataas na lattice energies at nakakalason dahil sa likas na toxicity ng arsenic.Ang mataas na temperatura ng thermal analysis ay nagpapakita ng mga NdA na nagpakita ng arsenic volatilization sa pag-init. Ang Niobium Arsenide, isang Weyl semimetal, ay isang uri ng semiconductor at photoelectric na materyal sa mga aplikasyon para sa semiconductor, photo optic, laser light-emitting diodes, mga quantum dots, optical at pressure sensor, bilang mga intermediate, at upang gumawa ng superconductor atbp. Niobium Arsenide Nb₅As₃o NbAs sa Western Minmetals (SC) Corporation na may kadalisayan ng 99.99% 4N ay maaaring maihatid sa hugis ng pulbos, butil, bukol, target at bulk crystal atbp o bilang customized na detalye, na dapat na panatilihin sa isang mahusay na sarado, light-resistant , tuyo at malamig na lugar.

Mga Tip sa Pagkuha

Sample na Magagamit Kapag Hiling
Pangkaligtasan sa Paghahatid ng Mga Kalakal Sa Pamamagitan ng Courier/Air/Sea
Pamamahala ng Kalidad ng COA/COC
Secure at Maginhawang Pag-iimpake
Magagamit ang UN Standard Packing Kapag Hiling

ISO9001:2015 Certified
Mga Tuntunin ng CPT/CIP/FOB/CFR Ni Incoterms 2010
Flexible na Mga Tuntunin sa Pagbabayad T/TD/PL/C Katanggap-tanggap
Mga Serbisyong Buong Dimensional After-Sale
Quality Inspection Ng Sate-of-the-art na Pasilidad

Pag-apruba sa Mga Regulasyon ng Rohs/REACH
Mga Kasunduan sa Non-Disclosure NDA
Non-Conflict Mineral Policy
Regular na Pagsusuri sa Pamamahala ng Kapaligiran
Pagtupad sa Pananagutang Panlipunan

Cd₂As₃ Nb₂As₃GaAs InAs

Nakaraan: Selenium Sulfide SeS₂|GeS₂MoS₂SnS₂TiS₂

Susunod: Tungsten Titanium Carbide (W,Ti)C

Cadmium Arsenide Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

Mga Detalye