Gallium Antimonide GaSb

Paglalarawan

Gallium Antimonide GaSb, isang semiconductor ng grupong III–V compounds na may zinc-blende lattice structure, ay na-synthesize ng 6N 7N high purity gallium at antimony elements, at pinalaki sa crystal sa pamamagitan ng LEC method mula sa directionally frozen polycrystalline ingot o VGF method na may EPD<1000cm^-3.Ang GaSb wafer ay maaaring hiwain at gawin pagkatapos mula sa iisang crystalline na ingot na may mataas na pagkakapareho ng mga de-koryenteng parameter, natatangi at pare-pareho ang mga istruktura ng sala-sala, at mababang density ng depekto, pinakamataas na refractive index kaysa sa karamihan ng iba pang non-metallic compound.Maaaring iproseso ang GaSb na may malawak na pagpipilian sa eksaktong or off na oryentasyon, mababa o mataas na doped na konsentrasyon, magandang surface finish at para sa MBE o MOCVD epitaxial growth.Ang Gallium Antimonide substrate ay ginagamit sa pinaka-cutting-edge na photo-optic at optoelectronic na mga application tulad ng mga gawa ng photo detector, infrared detector na may mahabang buhay, mataas na sensitivity at reliability, photoresist component, infrared LEDs at lasers, transistors, thermal photovoltaic cell at mga thermo-photovoltaic system.

Paghahatid

Ang Gallium Antimonide GaSb sa Western Minmetals (SC) Corporation ay maaaring ihandog ng n-type, p-type at undoped semi-insulating conductivity sa laki na 2” 3” at 4” (50mm, 75mm, 100mm) diameter, oryentasyon <111> o <100>, at may wafer surface finish ng as-cut, etched, polished o high quality epitaxy ready finishes.Ang lahat ng mga hiwa ay indibidwal na laser scribe para sa pagkakakilanlan.Samantala, ang polycrystalline gallium antimonide GaSb lump ay na-customize din kapag hiniling sa perpektong solusyon.

Inquiry ngayon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal na Pagtutukoy

Gallium Antimonide

GaSb

Gallium Antimonide GaSbang substrate ay ginagamit sa pinaka-cutting-edge na photo-optic at optoelectronic na mga application tulad ng mga gawa ng mga photo detector, infrared detector na may mahabang buhay, mataas na sensitivity at pagiging maaasahan, photoresist component, infrared LEDs at lasers, transistors, thermal photovoltaic cell at thermo - mga photovoltaic system.

	Mga bagay	Karaniwang Pagtutukoy
1	Sukat	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Paraan ng Paglago	LEC	LEC	LEC
4	Konduktibidad	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	Oryentasyon	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Kapal μm	500±25	600±25	800±25
7	Oryentasyon Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Identification Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobility cm2/Vs	200-3500 o kung kinakailangan
10	Konsentrasyon ng Tagadala cm-3	(1-100)E17 o kung kinakailangan
11	TTV μm max	15	15	15
12	Bow μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Dislocation Density cm-2 max	500	1000	2000
15	Ibabaw ng Tapos	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pag-iimpake	Isang lalagyan ng wafer na selyadong sa Aluminum bag.

Linear na Formula	GaSb
Molekular na Timbang	191.48
Istraktura ng kristal	Pinaghalo ng zinc
Hitsura	Gray na mala-kristal na solid
Temperatura ng pagkatunaw	710°C
Punto ng pag-kulo	N/A
Densidad sa 300K	5.61 g/cm³
Gap ng Enerhiya	0.726 eV
Intrinsic na resistivity	1E3 Ω-cm
Numero ng CAS	12064-03-8
Numero ng EC	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbsa Western Minmetals (SC) Corporation ay maaaring mag-alok ng n-type, p-type at undoped semi-insulating conductivity sa laki na 2" 3" at 4" (50mm, 75mm, 100mm) diameter, orientation <111> o <100 >, at may wafer surface finish ng as-cut, etched, pulished o high quality epitaxy ready finishes.Ang lahat ng mga hiwa ay indibidwal na laser scribe para sa pagkakakilanlan.Samantala, ang polycrystalline gallium antimonide GaSb lump ay na-customize din kapag hiniling sa perpektong solusyon.