CZ Silicon Wafer

Paglalarawan

CZ Single Crystal Silicon Wafer ay hiniwa mula sa nag-iisang kristal na silicon na ingot na hinila ng Czochralski CZ na paraan ng paglago, na pinakamalawak na ginagamit para sa paglaki ng kristal na silikon ng malalaking cylindrical ingot na ginagamit sa industriya ng electronics para gumawa ng mga semiconductor device.Sa prosesong ito, ang isang manipis na buto ng kristal na silikon na may tumpak na orientation tolerance ay ipinakilala sa molten bath ng silicon na ang temperatura ay tiyak na kinokontrol.Ang seed crystal ay dahan-dahang hinihila paitaas mula sa natunaw sa isang napaka-kontroladong bilis, ang mala-kristal na solidification ng mga atom mula sa isang likidong bahagi ay nangyayari sa isang interface, ang seed crystal at ang crucible ay pinaikot sa magkasalungat na direksyon sa panahon ng proseso ng pag-alis, na lumilikha ng isang malaking solong. kristal na silikon na may perpektong kristal na istraktura ng buto.

Salamat sa magnetic field na inilapat sa karaniwang CZ ingot pulling, ang Magnetic-field-induced Czochralski MCZ single crystal silicon ay medyo mas mababa ang konsentrasyon ng impurity, mas mababang antas ng oxygen at dislokasyon, at pare-parehong pagkakaiba-iba ng resistivity na mahusay na gumaganap sa mataas na teknolohiya na mga elektronikong bahagi at device katha sa electronic o photovoltaic na industriya.

Paghahatid

Ang CZ o MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type at p-type na conductivity sa Western Minmetals (SC) Corporation ay maaaring maihatid sa laki ng 2, 3, 4, 6, 8 at 12 inch diameter (50, 75, 100, 125, 150, 200 at 300mm), oryentasyon <100>, <110>, <111> na may surface finish ng lapped, etched at pinakintab sa pakete ng foam box o cassette na may karton sa labas.

Inquiry ngayon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal na Pagtutukoy

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer ay ang pangunahing materyal sa paggawa ng mga integrated circuit, diode, transistors, discrete component, na ginagamit sa lahat ng uri ng electronic equipment at semiconductor device, pati na rin ang substrate sa epitaxial processing, SOI wafer substrate o semi-insulating compound wafer fabrication, lalo na malaki. Ang diameter ng 200mm, 250mm at 300mm ay pinakamainam para sa paggawa ng mga ultra highly integrated device.Ginagamit din ang Single Crystal Silicon para sa mga solar cell sa malalaking dami ng industriya ng photovoltaic, na halos perpektong kristal na istraktura ay nagbubunga ng pinakamataas na kahusayan sa conversion ng light-to-electricity.

Hindi.	Mga bagay	Karaniwang Pagtutukoy
1	Sukat	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diameter mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	Konduktibidad	P o N o un-doped
4	Oryentasyon	<100>, <110>, <111>
5	Kapal μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o kung kinakailangan
6	Resistivity Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 atbp
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Pangunahing Flat/Length mm	Bilang pamantayan ng SEMI o kung kinakailangan
9	Pangalawang Flat/Length mm	Bilang pamantayan ng SEMI o kung kinakailangan
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow at Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Ibabaw ng Tapos	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Pag-iimpake	Foam box o cassette sa loob, karton box sa labas.

Simbolo	Si
Numero ng Atomic	14
Konting bigat	28.09
Kategorya ng Elemento	Metalloid
Grupo, Panahon, Block	14, 3, P
Istraktura ng kristal	brilyante
Kulay	Madilim na kulay-abo
Temperatura ng pagkatunaw	1414°C, 1687.15 K
Punto ng pag-kulo	3265°C, 3538.15 K
Densidad sa 300K	2.329 g/cm³
Intrinsic na resistivity	3.2E5 Ω-cm
Numero ng CAS	7440-21-3
Numero ng EC	231-130-8

CZ o MCZ Single Crystal Silicon WaferAng n-type at p-type na conductivity sa Western Minmetals (SC) Corporation ay maaaring maihatid sa laki ng 2, 3, 4, 6, 8 at 12 inch diameter (50, 75, 100, 125, 150, 200 at 300mm), oryentasyon <100>, <110>, <111> na may surface finish na as-cut, lapped, etched at pinakintab sa pakete ng foam box o cassette na may carton box sa labas.