Gallium Phosphide GaP

Paglalarawan

Ang Gallium Phosphide GaP, isang mahalagang semiconductor ng mga natatanging katangian ng kuryente tulad ng iba pang III-V compound na materyales, ay nag-kristal sa thermodynamically stable na cubic ZB na istraktura, ay isang orange-dilaw na semitransparent na kristal na materyal na may hindi direktang band gap na 2.26 eV (300K), na kung saan ay na-synthesize mula sa 6N 7N high purity gallium at phosphorus, at lumaki sa solong kristal sa pamamagitan ng Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) technique.Ang Gallium Phosphide crystal ay doped sulfur o tellurium upang makakuha ng n-type na semiconductor, at zinc doped bilang p-type na conductivity para sa karagdagang fabricating sa nais na wafer, na may mga aplikasyon sa optical system, electronic at iba pang mga optoelectronics na aparato.Maaaring ihanda ang solong Crystal GaP wafer na Epi-Ready para sa iyong LPE, MOCVD at MBE epitaxial application.Ang de-kalidad na solong kristal Gallium phosphide GaP wafer p-type, n-type o undoped conductivity sa Western Minmetals (SC) Corporation ay maaaring ihandog sa laki na 2″at 3” (50mm, 75mm diameter), orientation <100>,<111 > na may surface finish ng as-cut, polished o epi-ready na proseso.

Mga aplikasyon

Sa mababang kasalukuyang at mataas na kahusayan sa light emitting, ang Gallium phosphide GaP wafer ay angkop para sa mga optical display system bilang murang red, orange, at green light-emitting diodes (LEDs) at backlight ng dilaw at berdeng LCD atbp at pagmamanupaktura ng LED chips na may mababa hanggang katamtamang liwanag, malawak ding ginagamit ang GaP bilang pangunahing substrate para sa mga infrared sensor at pagmamanupaktura ng mga camera sa pagsubaybay.

Inquiry ngayon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal na Pagtutukoy

Gallium Phosphide GaP

Ang de-kalidad na solong kristal na Gallium Phosphide GaP wafer o substrate p-type, n-type o undoped conductivity sa Western Minmetals (SC) Corporation ay maaaring ihandog sa laki na 2″ at 3” (50mm, 75mm) ang lapad, oryentasyon <100> , <111> na may surface finish na as-cut, lapped, etched, polished, epi-ready na naproseso sa iisang wafer container na selyadong sa aluminum composite bag o bilang customized na detalye sa perpektong solusyon.

Hindi.	Mga bagay	Karaniwang Pagtutukoy
1	Laki ng GaP	2"
2	Diameter mm	50.8 ± 0.5
3	Paraan ng Paglago	LEC
4	Uri ng Conductivity	P-type/Zn-doped, N-type/(S, Si,Te)-doped, Un-doped
5	Oryentasyon	<1 1 1> ± 0.5°
6	Kapal μm	(300-400) ± 20
7	Resistivity Ω-cm	0.003-0.3
8	Orientation Flat (OF) mm	16±1
9	Identification Flat (IF) mm	8±1
10	Hall Mobility cm2/Vs min	100
11	Konsentrasyon ng carrier cm^-3	(2-20) E17
12	Dislokasyon Densidad cm^-2max	2.00E+05
13	Ibabaw ng Tapos	P/E, P/P
14	Pag-iimpake	Single wafer container na selyadong sa aluminum composite bag, karton box sa labas

Linear na Formula	GaP
Molekular na Timbang	100.7
Istraktura ng kristal	Pinaghalo ng zinc
Pagpapakita	Orange solid
Temperatura ng pagkatunaw	N/A
Punto ng pag-kulo	N/A
Densidad sa 300K	4.14 g/cm³
Gap ng Enerhiya	2.26 eV
Intrinsic na resistivity	N/A
Numero ng CAS	12063-98-8
Numero ng EC	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, na may mababang kasalukuyang at mataas na kahusayan sa light emitting, ay angkop para sa mga optical display system bilang murang red, orange, at green light-emitting diodes (LEDs) at backlight ng dilaw at berdeng LCD atbp at pagmamanupaktura ng LED chips na may mababa hanggang katamtaman. liwanag, malawak ding ginagamit ang GaP bilang pangunahing substrate para sa mga infrared sensor at pagmamanupaktura ng mga camera sa pagsubaybay.